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Typical Electrical Characteristics (continued)
1.16
1.5
I
D
= 250μA
1
V GS = 0V
1.12
1.08
0.5
T J = 125°C
1.04
0.1
25°C
-55°C
1
0.96
0.92
0.01
0.88
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
125
150
0.001
0.2
0.4 0.6 0.8 1
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.2
Figure 7. Breakdown Voltage Variation with
Temperature.
100
50
10
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation
with Current and Temperature .
V DS = 25V
20
C iss
8
6
I D = 0.51A
10
C oss
5
f = 1 MHz
C rss
4
2
2
1
V GS = 0 V
0
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Capacitance Characteristics.
0.7
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
0.6
V DS = 10V
T
J
= -55°C
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
25°C
125°C
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Transconductance Variation with Drain
Current and Temperature.
NDC7002N.SAM
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